286章 迫不及待！（1/2）

张京汝在星环科技公司公司的好几条晶圆实验生产线参观后便跟着周晓东来到了研发大楼里面的好几个芯片设计部门。

在其中的一个图像传感器设计部门，这个只有几十个人的部门此时已经在周晓东的授意下已经开始在仿真验证电子全局快门技术和相位差对焦技术方面的技术研发工作。

“张先生，我们通过对国外众多图像传感器产商和光学巨头们手中掌握的技术专利进行了详细的分析，再结合我们自己掌握的技术专利，基本上已经确定了我们在图像传感器和光学镜头匹配结合的技术方案。”

此时负责图像传感器和光学镜头两大技术部门的技术经理尹志强向张京汝介绍着这边的技术研发路线。

“为了提升cmos图像传感器的图像质量，目前我们正在按照周董的提出的这种背照式图像传感器芯片架构，将现有这种图像传感器在拜尔阵列滤镜与光电二极管间存在大量金属连线转移到光电二极管后面，这样的结构使得光线不再被阻挡，信噪比大幅度提高，我们可以在光电二极管后面为每个像素布置数模转换器和高速寄存器，这样处理图像处理速度会更快……”

张京汝满脸震惊地说道：“啊，这样的芯片架构简直是颠覆性的技术创新呀！”

周晓东笑了笑，“这样的芯片架构好是好，不过这里面要用到硅穿孔这种工艺，目前我们在这种工艺技术上面还不成熟，希望张先生能想想办法在工艺技术上帮助我们解决这个重大的技术难题。”

张京汝此时用手摩挲着自己的下巴沉吟道：“如果从从工艺角度来看，这个工艺技术目前的制造难点应该集中在需要将这个硅穿孔的互连结构用铜进行金属化，这个结构要比铜通孔深度要深1000倍的样子，确保阻挡层和种子层的完整性，让芯片的可靠间隙填充和互连确实是一个巨大的挑战呀……”

此时他陷入了沉思当中，嘴里不停地嘟囔着：“看样子要使用粘附性和浸润性的材料才能保证后续铜的完全填充，用什么材料呢？用碳化钽这种材料？不行不行，这种材料的铜浸润性还是不够……”

周晓东和尹志强等人见到张京汝此时陷入了沉思，都没有打扰他的思路。

过了好一会儿，张京汝兴奋地一拍双手，激动地对周晓东说道：“周董，这个工艺技术难题我想可以用钴这种采用来沉积薄膜方式来解决！”

此时的他满眼放光：“恰好我认识的杨哲雄教授有对这种材料进行大量的研究，我晚上就给他打电话，让他尽快过来参与这种工艺技术的研发！”

周晓东顿时大喜，笑着说道：“那就有劳张先生了！”

“周董，能参与到这种颠覆性的工艺技术研发当中是我的荣幸呀！”

张京汝激动地说道：“能拿下这种工艺技术，不仅能够解决图像传感器的技术难题，这方面的工艺技术还能用在其他芯片器件上。”

“是的，我们也是有将这种工艺技术用在闪存芯片的堆叠上面，这样可以堆个几十层，极大地提升闪存芯片的容量。”

“是的是的！”