第160章 要超越世界吗？（求月票）（2/2）

之前的12纳米芯片计划，他虽然觉得踏踏实实地一步步走没有错，但联想到对方之前熊猫eda的横空出世，隐隐觉得这件事没那么简单，以他们之前表现出的胆略和气魄，怕不止是只想往前跨2纳米这么简单。

果然，很快他便收到了二次邀约，说不要声张一起再去开会。

他对这个会的结果是有期待的，尤其是当江凡说出要做出可以和国际竞争的芯片时，他隐隐已经猜测是不是7纳米乃至5纳米，如果真的做到这一步，那将非常地了不起。

但当江凡真正亮出要做的东西并加以确认时，纵使是他这个和芯片打了一辈子交道的半导体教父元老都惊诧了。

跳过3纳米，直奔2纳米，普通人连设想都不敢这么设想的，但人家却已经把技术资料都摆在眼前了。

赶超，竟来的如此之快吗？这可是自己一辈子都没有完成的事啊。

张汝金心中有些激动，但他作为一个严谨的工程师，还是急切地想要看看里面实际的内容。

在众人期盼的目光中，江凡打开了资料，他来之前已经找青年人要了微电子技术、微机电系统、集成电路设计等芯片相关2030年左右知识体系的知识贴片，所以讲解起来也毫不费劲。

他做了整体概述性的讲解，并对其中一些核心技术做了深度的一些解读。

就比如光源这块，asml（阿斯麦）的euv光刻机是世界上最牛的光刻机，其光源来自xymer，波长为13.5nm。

但是这13.5nm其实是从193nm多次反射得到的，简单来说，就是用250w功率的二氧化碳激光去轰击滴落下来的金属锡液滴，连续轰击两次后，就能加热并激发出euv等离子体，从而获得波长更短的光。

这一过程每秒得要轰击5万个液滴，而一个金属锡液滴就只有20微米大小，相当于从地球发出的手电筒光线要精准地射到一块在月球上的硬币一样难。

而euv光刻机里面的反光镜，是由德国蔡司制造的，只反射13.5nm的光，一共有40层，每一层的外表都非常平整。

但由于euv的光很容易被空气吸收，每一次反射都会损失掉30%的光强，一顿操作下来，最后就只剩下2%的光强，所以euv光刻机可以说是耗电猛兽。

euv光刻机除了耗电还很耗水，因为轰击金属锡液滴会释放能量，所以每秒钟得有4000升的水来进行冷却，而厂房环境也很严格，每小时得要净化30万立方米的空气。

就以上几点，就可以感觉到造euv光刻机究竟有多难。

但江凡的技术资料里却对这一块做了改进，通过把光源空间做成真空离子态，减少了过程中光源的损耗，一方面节约金属锡等材料和耗电量，另一方面受离子态影响每一次可以一定程度降低光的波长，从而更快获得更短波长的光，降低了难度的同时也获得了更好的精度。

而在冷却体系上也在水中加入了复合液体，使其冷却效果更好，从而又提升了整体的性能。

所有人随着江凡的讲解都听傻了，竟然还能有这么精巧的设计，但一说出却又都恍然大悟。

而且他们突然意识到，如果每一个模块都能达到这种水准的提升，那2纳米芯片，真的不是没有可能。

项目本质上还没开始，但在场众人已经有种看到胜利曙光，要额手称庆的冲动了，华夏高端芯片的春天，真的要来了吗。

江凡摆手先平抚下已经有点喜不自胜的众人，说明了一下整体的计划和安排。

最后，他特别强调了保密原则，一方面是为了正在进行的谈判，另一方面也是防止对手在这个过程中使绊子。

整体就是采取分段式的工作流程，核心的资料、信息和计划只掌握在少数可靠的人手里，然后把任务分拆下去，每个部门或者人员做自己的。

他们都不可以看到全貌，或者他们都以为自己是在为开发12纳米芯片在做工作。

但最后他们所做的东西组装起来，却是可以完成2纳米高端芯片的所有设备和工艺。

因为资料还有缺失，所以江凡把整个计划分了2个阶段，第一阶段利用现有的资料先完成5纳米芯片的设计和制造，完成这个需要补全的技术资料比较少。

然后等把所有技术资料补全后，再完成2纳米芯片的设计制造。

因为后面销售本身也是需要不同层次的产品差异定价，所以这两块产品都不会浪费。

讲完这些，江凡看向众人着重又强调了一遍：“保密工作一定要做好，尤其不能向名单里有，但这次没有来参加会议的那几家企业泄露，你们能理解我的意思吗？”

众人听到江凡这句话，已经隐隐猜到了什么，都是重重点头，这件事包括这个联盟的意义他们很清楚。

如果因为自己的麻痹大意或者疏忽影响了整个事情的成败，怕第二天就会有人敲门查水表了。