第一千四百六十章半导体工艺（2/2）

由于已经临近过年，园区内的一线工人和员工并不多。

按照陆光明的介绍，公司在年前已经完成了首批1200名一线工人的培训，过完年回来就能正式开工生产。

当然了，相对于这么大个科技园，1200名工人肯定是不够的。

按照一期的配套规模，至少要近20000名流水线工人才能玩转起来。

现在销路还没彻底打开，暂时还不用一下子招聘这么多人而已。

知道江飞宇是外行，陆光明介绍得很详细。

说到半导体制造，就不得不说工艺。

无论你生产什么半导体产品，涉及的生产工艺都会达到数百这个级别。

而这些工艺，又可以归纳为八大步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。

第一步，晶圆加工。

所有半导体的加工，都始于沙子——硅。

硅，是生产晶圆所需要的原材料。

要提取

高纯度的硅材料需要用到硅砂，一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料。

所谓晶圆，就是将硅制成的单晶柱体切割形成圆薄片，并进行抛光处理。

这个过程中，最重要的就是对硅进行提纯加工。

第二步，氧化。

氧化过程的作用，是在晶圆表面形成保护膜。

它的作用很多，可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电影响电路、预防离子植入过程中的扩散，以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。

第三步，是光刻。

光刻是过光线将电路图案“印刷”到晶圆上，我们可以将其理解为在晶圆表面绘制所需的电路图。

电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高。

这里的操作，就必须用到光刻鸡（这居然是敏感词，离大谱）才能实现。

我们经常听说的14nm、7nm、5nm芯片，指的就是“印刷”的精细度。

具体来说，光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。

第四步，刻蚀。

在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除多余的氧化膜，并且只留下半导体电路图。

要做到这一点，就需要利用液体、气体或等离子体来去除多余的部分。

第五步，薄膜沉积。

为了创建芯片内部的微型器件，我们不仅需要不断地沉积一层层的薄膜，还要添加一些材料将不同的器件分离开来。

我们所说的“薄膜”，一般是指厚度小于1微米（

百万分之一米）、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。

将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程，就是“沉积”。

第六步，互连。

半导体的导电性处于导体与非导体之间，这种特性能够容易掌控电流，将这些单元连接起来实现电力与信号的发送与接收，就是互连过程。

第七步，测试。

测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。

最后一步，封装。

经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片，通过切割获得单独的芯片。

刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，需要在芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号就是封装过程。

这里面涉及的跨专业知识很多，江飞宇也只是了解大概流程。