第887章 最正确的决定（1/2）

1975年，倭国人提出了以通产省为中心的“下世代电子计算机用vlsi研究开发计划”构想，设立了官方与民间共同参与的“超大规模集成电路（vlsi）研究开发政策委员会”。

1976年3月，经通产省、大藏省等多次协商，倭国政府启动了“dram制法革新”国家项目。由政府出资320亿日元，日立、nec、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（以当时汇率计算约2.36亿美金）为基金，由倭国电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——vlsi技术研究所。

这可以说是一次倭国版本的“举国体制”会战。

这次会战充分发挥出了这种“举国体制”的优势，倭国的官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，vlsi研究所组织多个实验室通力合作，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高dram量产成功率。

到1980年，倭国人宣布完成了“dram制法革新国家项目”。期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、x射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果，为赢得第一次倭米半导体战争打下了坚实的产业和科研基础。

在这次“会战”之前，倭国虽然可以生产dram内存芯片，但是最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，倭国人组织了800余名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化dram生产设备，不仅实现了64k dram和128k dram的商用化，更是于1983年实现了256k dram商用化的关键生产制程设备，目前正在向512k及1m dram的芯片颗粒发起挑战。

可以说，正是这次会战的成功，使得倭国突破了产业链上下游，成功实现了半导体关键生产制造设备的国产化，也奠定了其在今后很长一段时间内牢牢占据半导体产业链核心供应商地位的资本。

说句题外话，你别看现在南高丽的几家半导体公司的产品好像占据了极高的市场份额，可是其超过40%的设备、超过20%的核心原材料都必须从倭国进口，所以最近两国关系恶化，倭国人一急眼说我有几种原料不卖给你了，南高丽可不就立马给跪了？

而更奇葩的是，南高丽人居然用抵制倭国货的方式要求倭国人卖货给他们，不同意就切自个儿手指……

这时候我特么该用什么表情·jpg！

……

谭振华刚才说的六大研究室，就是承担了这次“举国体制”的核心单位。

第一研究室，日立公司，负责电子束扫描设备与微缩投影紫外线曝光设备，室长：右高正俊。

第二研究室，富士通公司，负责研制可变尺寸矩形电子束扫描设备，室长：中村正。

第三研究室，东芝公司，负责eb扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。

第四研究室，电气综合研究所，对硅晶体材料进行研究，室长：饭塚隆。

第五研究室，三菱电机，开发制程技术与投影曝光设备，室长：奥泰二。

第六研究室，nec公司，进行产品封装设计、测试和评估研究，室长：川路昭。

佐波正一看着手上这份资料，心中波澜起伏。

在这份不算太厚的资料里，详细描述了倭国整个半导体大规模集成电路发展的历程、各大企业在其中扮演的角色、领导人物、主攻方向和产品等等等等，如果这份报告不是谭振华递给他的，他都要认为这是出自通产省的报告了。

这绝对不是一个人在短时间内可以收集整理到的资料，它必然来自于一个配合默契的团队，经过长时间的调查而来！

换句话说，眼前的这位华夏年轻人，为了今天的这一次会面，已经准备了很久！